股票代码 834770 Tel:0573-86567891
CN EN
您当前的位置:网站首页 > 多晶硅太阳能电池

Poly 6" 156M0X1

更新时间:2018-06-26 10:29:30
文件类型:png
文件大小:166 KB
备注:
点击次数
详细描述
Efficiency(%)Pmpp(W)Umpp(V)Impp(A)Uoc(V) Isc(A)FF(%)
18.80-19.002.910.533
5.460
0.642
5.839
77.60
18.60-18.802.88
0.529
5.440
0.641
5.830
77.04
18.40-18.602.85
0.5265.420
0.641
5.826
76.39
18.20-18.402.82
0.522
5.3980.640
5.821
75.63
18.00-18.202.79
0.519
5.378
0.640
5.820
74.89
17.80-18.002.76
0.515
5.350
0.640
5.817
74.05
17.60-17.802.73
0.512
5.329
0.640
5.817
73.27
上一条:没有了    下一条:Poly 6" 156M0X2

新闻资讯

  • 二次清洗

    目的:去除硅片边缘的 PN 结防止短路以及去除扩散后形成的磷硅玻璃(PSG)。 实现方法:将硅片漂浮于化学药剂以上,通过硝酸于亚硝酸的强氧化性氧化表面 的单质硅,然后与氢氟酸反应生成溶于水的氟化硅

    VIEW DETAILS
  • 扩散

    目的:去除硅片边缘的 PN 结防止短路以及去除扩散后形成的磷硅玻璃(PSG)。 实现方法:将硅片漂浮于化学药剂以上,通过硝酸于亚硝酸的强氧化性氧化表面 的单质硅,然后与氢氟酸反应生成溶于水的氟化硅

    VIEW DETAILS
  • 一次清洗

    目的:去除硅片边缘的 PN 结防止短路以及去除扩散后形成的磷硅玻璃(PSG)。 实现方法:将硅片漂浮于化学药剂以上,通过硝酸于亚硝酸的强氧化性氧化表面 的单质硅,然后与氢氟酸反应生成溶于水的氟化硅

    VIEW DETAILS
  • 来料检验

    目的:去除硅片边缘的 PN 结防止短路以及去除扩散后形成的磷硅玻璃(PSG)。 实现方法:将硅片漂浮于化学药剂以上,通过硝酸于亚硝酸的强氧化性氧化表面 的单质硅,然后与氢氟酸反应生成溶于水的氟化硅

    VIEW DETAILS