| 更新时间：2018-06-26 10:29:30 |
| 文件类型：png |
| 文件大小：166 KB |
| 备注： |
| Efficiency(％) | Pmpp(W) | Umpp(V) | Impp(A) | Uoc(V) | Isc(A) | FF(％) |
| 18.80-19.00 | 2.91 | 0.533 | 5.460 | 0.642 | 5.839 | 77.60 |
| 18.60-18.80 | 2.88 | 0.529 | 5.440 | 0.641 | 5.830 | 77.04 |
| 18.40-18.60 | 2.85 | 0.526 | 5.420 | 0.641 | 5.826 | 76.39 |
| 18.20-18.40 | 2.82 | 0.522 | 5.398 | 0.640 | 5.821 | 75.63 |
| 18.00-18.20 | 2.79 | 0.519 | 5.378 | 0.640 | 5.820 | 74.89 |
| 17.80-18.00 | 2.76 | 0.515 | 5.350 | 0.640 | 5.817 | 74.05 |
| 17.60-17.80 | 2.73 | 0.512 | 5.329 | 0.640 | 5.817 | 73.27 |
目的：去除硅片边缘的 PN 结防止短路以及去除扩散后形成的磷硅玻璃（PSG）。 实现方法：将硅片漂浮于化学药剂以上，通过硝酸于亚硝酸的强氧化性氧化表面 的单质硅，然后与氢氟酸反应生成溶于水的氟化硅
VIEW DETAILS目的：去除硅片边缘的 PN 结防止短路以及去除扩散后形成的磷硅玻璃（PSG）。 实现方法：将硅片漂浮于化学药剂以上，通过硝酸于亚硝酸的强氧化性氧化表面 的单质硅，然后与氢氟酸反应生成溶于水的氟化硅
VIEW DETAILS目的：去除硅片边缘的 PN 结防止短路以及去除扩散后形成的磷硅玻璃（PSG）。 实现方法：将硅片漂浮于化学药剂以上，通过硝酸于亚硝酸的强氧化性氧化表面 的单质硅，然后与氢氟酸反应生成溶于水的氟化硅
VIEW DETAILS目的：去除硅片边缘的 PN 结防止短路以及去除扩散后形成的磷硅玻璃（PSG）。 实现方法：将硅片漂浮于化学药剂以上，通过硝酸于亚硝酸的强氧化性氧化表面 的单质硅，然后与氢氟酸反应生成溶于水的氟化硅
VIEW DETAILS
艾能聚致力于可再生能源科技的研发
